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J-GLOBAL ID：201602005964241189   整理番号：71A0044015

大量にドープした半導体中の電子移動度

О подвижности электронов в аегированных поаупроводкнках.

著者 (4件)： ДАХОВСКИЙ И В ,  ПОЛЯНСКАЯ Т А ,  САМОЙЛОВПЧ А Г ,  ШМАРРЦЕВ Ю В
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 11  ページ： 2165-2171  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： SbをドープしたN形Ge(n=5×10’5~3×10iBcm”3)中の電子ホール移動度を1,5~500eKの温度域で測定した。異方性散乱の理論との比較により.単純な散乱機構の適用限界をしらべた。Nal>1の領域では,不純物中心の群(クラスター)による散乱を考慮すると満足すべき量的一致が得られた;写図5表1参17

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  ゲルマニウム
準シソーラス用語： 不純物散乱

タイトルに関連する用語 (2件)： ドープ ,  電子移動度