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J-GLOBAL ID：201602005978635791   整理番号：72A0030126

シリコンダイオード配列標的による電子顕微鏡像の直接強化

Direct intensification of electron microscopic images with silicon diode array target.

著者 (4件)： IMURAA T ,  SAKA H ,  TODOKORO H ,  ASHIKAWA M
資料名： J Phys Soc Jpn  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 31  号： 6  ページ： 1849  発行年： 1971年 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： これまでのSe標的が有していた弱点(低い感受性,遅いレスポンス演風高に暗電流,極度に短い寿命)を改良するために,ボロンを拡散ぎせたS1標的を電子顕微鏡像のTV化に応用。電子顕微鏡の加演雷庫が200-500kVのとき20総じてSiはSeより利点が多μのSi標的は良好な転位の像を与えた。いこどが刊明;与図1参3

シソーラス用語： 電子顕微鏡観察
準シソーラス用語： TVカメラ ,  シリコン標的 ,  電子顕微鏡法

引用文献 (4件)：

• M. E. Haine and P. A. Einstein: Proc. IEE 109, Part B (1962) 185.
• M. Mayeda et al.: Japan. J. appl. Phys. 9 (1970) 1183.
• T. Imum etal.: Japan. J. appl. Phys. 10 (1971) 654.
• Figure 1 (b) shows the current gain G (ratio of signal current produced by EBIC to bombarding current), which is used as a measure of intensification, of Si targets of various thickness against accelerating voltage V of EM, together with the corresponding data on conventional Se targets for comparison. The

タイトルに関連する用語 (3件)： 標的 ,  電子顕微鏡 ,  強化