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J-GLOBAL ID：201602006039752242   整理番号：71A0243439

メガス動作下における窒化タンタル膜抵抗の熱特性とエージンク

Thermal behavior and aging of tantalum nitride thin film resistors under pulsed operation.

著者 (1件)： ENGELMAIER W
資料名： Electron Compon Conf  (Electronic Components Conference)
巻： 21  ページ： 210-220  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0393A  CODEN： PECCA   資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄裏抵抗から基板への熱伝達を低デューティのパルス動作に対して解析し,理論式の数値解から,窒化タンタル膜の薄膜抵抗の熱酸化エージング工程に対するパルス動作の効果を求めた。基板はグレーズなしのハイアルミナとガラスの2種類について計算した。同一の平均電力を加えた場合には,パルス動作に対するエージングによる抵抗変化は,連続直流動作の場合よりも常に大きい。最大温度に影響する要因は,パルス間隔,抵抗一基板間の熱コンダクタンス,膜厚,基板厚および嗅と基板材料の物理的性質である;写図10表3参3

シソーラス用語： 基板 ,  熱伝達 ,  薄膜抵抗
準シソーラス用語： タンタル薄膜

タイトルに関連する用語 (4件)： メガス ,  窒化タンタル ,  膜抵抗 ,  熱特性