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J-GLOBAL ID：201602006041769411   整理番号：71A0243528

FETの熱雑音についてのホットキャリヤ効果の影響

On the influence of hot carrier effects on the thermal noise of field-effect transistors.

著者 (1件)： KLASSEN F M
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 17  号： 10  ページ： 858-862  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高周波電界効果トランジスタ(FET)の雑音抵抗が.移動度の飽和やホットキャリヤ温度のような高電界効果を考慮して計算された。計算の結果は,接合ゲートFETの雑音測定および短い能動チャネルをもったMOS四極管と比較される。計算値は実験値とよい一致を示す。FETの雑音抵抗の増加の効果は.室温ではたいして大きくないが,液体窒素温度に冷やすと大きくなり無視できない。この温度での移動度の増加は雑音抵抗の絶対値の減少をひきおこすけれどもホットキャリヤの効果は雑音の絶対値が室温におけるよりも高いためである;写図5参15

シソーラス用語： FET ,  熱雑音
準シソーラス用語： ホットキャリヤ効果 ,  ホットキャリヤ効果(FET) ,  熱雑音(FET)

タイトルに関連する用語 (3件)： FET ,  熱雑音 ,  ホットキャリヤ