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J-GLOBAL ID：201602006125115093   整理番号：71A0044964

GaAsエピタクシー膜の電気的性質に対する不純物分布の非一様性の影響

О влиянии неоднородного распределения примесей на электрические свойства апитаксиальных слоев арсенида галлия.

著者 (3件)： ЛИСЕНКЕР Б С ,  МАРОНЧУК И Е ,  МАРОНЧУК Ю Е
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 11  ページ： 2144-2148  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： GaAsエピダクシー膜の電子濃度と移動度の膜厚依存性を77~300’Kの温度域で測定した。移動度の温度変化の特性は,膜厚内の不純物分布の非一様性による。異なる結晶方位面に成長させた膜に関する移動度と濃度の平均値と体積的な値とをしらべた。(111)と(100)面から5ん15.外れた面に成長した膜は一様性がよく.この場合の移動度の温度変化は理論値と一致する;写図4表2参13

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  不純物分布
準シソーラス用語： GaAs ,  エピタクシー膜 ,  キャリア濃度

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  エピタクシー膜 ,  電気的性質 ,  不純物分布 ,  非一様性