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J-GLOBAL ID：201602006125499509   整理番号：71A0035187

窒化けい素-ひ化ガリウム界面の電気的特性

Electrical characteristics of the silicon nitride-gallium arsenide interface.

著者 (1件)： FOSTER J E
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 117  号： 11  ページ： 1410-1417  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si₃N₄を650-750°Cの温度範囲でSiH₄とNH₃からnおよびp型,〈111>.GaAs上にデポジットさせたものを用いて,表記の特徴をキャバシタンスー電圧(C-V)曲線で求めた。このC-V曲線はヒステリシスを記録するが,このヒステリシスは界面近くのSi,H,中でのトラップの充てんまたは空位にしたがうものであって表記の支配的な特徴となる。なお界面からのトラップの空間分配は強くNH₃:SiH₄比に左右され.最良の結果はNH₃:SiH₄比が62.5:1,温度700°Cのデポジット条件でえられる;写図16表1参45

シソーラス用語： ひ化ガリウム ,  電気的性質 ,  半導体
準シソーラス用語： ひ化ガリウム(-窒化けい素界面/電気的性質) ,  ひ化ガリウム界面 ,  ひ化ガリウム-窒化シリコン ,  固相界面 ,  固相界面(電気的性質) ,  窒化けい素 ,  窒化けい素(-ひ化ガリウム界面/電気的性質) ,  窒化けい素界面 ,  電気容量 ,  電気容量(ひ化ガリウム-窒化シリコン) ,  半導体(ひ化ガリウム-窒化シリコン)

タイトルに関連する用語 (4件)： 窒化けい素 ,  ひ化ガリウム ,  界面 ,  電気的特性