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J-GLOBAL ID：201602006179377077   整理番号：73A0033671

rfおよびdcスバッタによる薄膜蒸着中にける温度上昇

Temperature rise during film deposition by rf and dc sputtering.

著者 (3件)： LAU S S ,  MILLS R H ,  MUTH D G
資料名： J Vac Sci Technol  (Journal of Vacuum Science & Technology)
巻： 9  号： 4  ページ： 1196-1202  発行年： 1972年 
JST資料番号： C0789A  ISSN： 0022-5355  CODEN： JVSTAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ta,AuおよびPd薄膜をrfスバッタで,またTa薄膜をdcスバッタで蒸着したときの温度上昇についての研究。カソードとアノードの距離。印加した電力およびスバッタ時間を変えて測定。プラズマおよびカソードからのふく射による寄与はほとんど無く,主としてスバッタ原子の運動エネルギー,凝縮熱および電子衝撃により加熱される;写図7表3参重3

シソーラス用語： スパッタ ,  タリウム ,  パラジウム ,  金 ,  薄膜

タイトルに関連する用語 (4件)： RF ,  DC ,  薄膜蒸着 ,  温度上昇