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J-GLOBAL ID：201602006192697897   整理番号：71A0045935

無定形半導体の高速可逆的光誘起結晶化

Rapid reversible light-induced crystallization of amorphous semiconductors.

著者 (4件)： FEINLEIB J ,  deNEUFVILLE J ,  MOSS S C ,  OVSHINSKY S R
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 18  号： 6  ページ： 254-257  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Te,,Ge,,Sb,S,で.短いレーザバルスによる無定形膜の高速結晶化と再ガラス化を観測した結晶化速度と可逆性を強い光子束による結晶化率の増大によるものと考えた模型を発展させた;写図3参12

シソーラス用語： カルコゲン化物
準シソーラス用語： 結晶化速度 ,  光誘起結晶化 ,  無定形半導体

タイトルに関連する用語 (3件)： 無定形 ,  光誘起 ,  結晶化