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J-GLOBAL ID：201602006197067190   整理番号：71A0031663

二準位トラップ系におけるキャリア再結合統計

Carrier-recombination statistics in a 2-level trapping system.

著者 (2件)： BUCHINGHAU M J ,  FAULKNER E A
資料名： Electron Lett  (Electronics Letters)
巻： 7  号： 12  ページ： 333-333  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,電流対電圧の対数特性が一般に受け入れられているShocklevらの理論によっては説明できないことが示された。本文ではShockIey-Read-Hallの統計に従ってトラッピング中心が空乏層に局在化しているというモデルでも正しい説明がえられないことを述べ,バンドギャップにある二つのトラップ間にかなりの相互作用があるときSiのPN接合の空乏層での再結合は上記の統計に従わないことを記した。その様な場合に,電流対電圧特性はI^∝exp(eV/1.5k)の形に近似できることを示した;写図2参7

シソーラス用語： トラップ ,  バンド構造 ,  再結合 ,  電流電圧特性 ,  統計 ,  半導体

タイトルに関連する用語 (2件)： キャリア再結合 ,  統計