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J-GLOBAL ID：201602006212346034   整理番号：71A0044893

Ge,Siトラッピング

Trapping in germanium and silicon.

著者 (1件)： CURTIS O L Jr
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 13  ページ： 5297-5304  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 盈護光伝導度減衰のトラップ効果に関するBaickerの解の適用限界を検討し,1個のトラップ準位の場合にデータと合うことを確かめた。照射したSi・Geのトラップ機構をBsickerの解析を併用して調べの二.写図12表2参9

シソーラス用語： ゲルマニウム
準シソーラス用語： シリコン ,  光伝導度 ,  捕獲中心

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  Si ,  トラッピング