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J-GLOBAL ID：201602006228846100   整理番号：71A0248524

GaP赤色LEDのバルク劣化

Bulk degradation of GaP red LEDs.

著者 (1件)： BERGH A A
資料名： IEEE Trans Electron Devic  (IRE Transactions on Electron Devices)
巻： 18  号： 3  ページ： 166-170  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaP赤色発光ダイオードを順バイアス動作させていると外部量子効率が減少してくる。これは長時間におけるバルク半導体の変化が大きな原因となっている。この劣化は一定順電流では劣化の活性化エネルギーが0.5~0.8eVであることおよび一定順電圧では光出力が順電流が増加しても変らないことが特徴である。劣化に対応じた非発光性の過剰電流はトンネル電流とみられる。銅などの金属不純物を半導体材料に導入した場合の特性を検討し,劣化の主因は銅などの速く移動する不純物であることを示した。高純度Gaを用いた液相エピタキシャル接合ではゲッター作用のため長寿命となる;写図6表1参10

シソーラス用語： 発光ダイオード
準シソーラス用語： GaP ,  GaPダイオード ,  バルク劣化 ,  バルク劣化(GaPダイオード) ,  発光ダイオード(GaP)

タイトルに関連する用語 (3件)： GAP ,  赤色LED ,  バルク