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J-GLOBAL ID：201602006237958867   整理番号：72A0258731

MOSトラジジスタ増幅器の低温雑音

Low temperature noise in most amplifiers.

著者 (1件)： ELLIOTT D A
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 14  号： 10  ページ： 1041-1047  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4Kで増幅器として動作するPチャネルおよびnチャネルMOSトランジスタの直流特性と雑音特性を測定し,nチャネルの場合に大きな雑音が生ずることを説明した。また,基板をバイアスした動作を検討’した。ゲートがドレインおよびソーろ接触とオーバラップしたデバイスとオーバーラップしないデバイスとでは,雑音電力に対するゲ,ト電圧の効果が逆となる。オーバーラップしていない場合には凝触雑音が生ずることを示した;写図7表1参16

シソーラス用語： MOSFET ,  雑音 ,  低温
準シソーラス用語： トランジスタ増幅器

タイトルに関連する用語 (4件)： MOS ,  増幅器 ,  低温 ,  雑音