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J-GLOBAL ID：201602006258604860   整理番号：72A0254067

半導体集積回路製造におけるドライプロセスについて

著者 (3件)： 植村滋幸 ,  阿部東彦 ,  奈良愛一郎
資料名： 画像技術
巻： 2  号： 12  ページ： 79-90  発行年： 1971年 
JST資料番号： S0220A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体IC製造プロセスにおいては,ウェーハ処理やアセンブルの段階で化学薬品を用いる“ウェット”な工程が多く,生産技術として改善すべき点が少なくない。そこで最近,能率化.安定化,省力化などによる経済性の向上と安定性の確立を目的として,化学薬品の代わりにガスプラズマを用いる,いわゆる“ドライ”なプロセスによるICの製造が検討されているが,ここでは,,ガスブラズマ技術を中心に,IC製造におけるドライ化技術ついて述べる;写図17表1参11

シソーラス用語： プラズマ ,  気体 ,  半導体集積回路
準シソーラス用語： 集積回路製造

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体集積回路 ,  ドライプロセス