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J-GLOBAL ID：201602006284457663   整理番号：71A0023031

半導体の最適結晶化速度の選定規準

Критерий выбора оптимальных скоростей кристаплнзацин полупроводниковых соединений.

著者 (2件)： НИКИТИНА Г В ,  РОМАНЕНКО В Н
資料名： Teor Osn Khim Tekhnol  (Teoreticheskie Osnovy Khimicheskoj Tekhnologii)
巻： 4  号： 6  ページ： 839-844  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0294A  ISSN： 0040-3571  CODEN： TOKTA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 半導体の結晶格子の完全性を確保する許容結晶成長速度(限界成長速度)と結晶組成との関係を研究した。融解した金属の過冷拡散(集中)理論に基づき,半導体固溶体の濃縮状態を知るための,限界成長速度の集中係数を算出した。ゲルマニウムおよびけい素を基にした強く合金化した結晶を対象とした。理論の正しさを,Ge-SLrnSb-GaSb,lnAs-AIAs系について実験によって確認した。さらに混合エネルギー,成分の拡散係数などの要素と限界成長速度との関係等も考察した;写図6参10

シソーラス用語： けい素 ,  ゲルマニウム ,  拡散係数 ,  結晶化 ,  半導体
準シソーラス用語： 混合エネルギー

タイトルに関連する用語 (2件)： 結晶化速度 ,  選定