抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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In<sub>x</sub>Ga<sub>l-x</sub>As単結晶をGaAs基板上に液相成長させた・液相成長法ではIn<sub>x</sub>Ga<sub>l-x</sub>As単結晶が得られるのは組成比xが0≦x≦0・25の範囲であることがE.M.X.電子線回折より確められた。In<sub>x</sub>Ga<sub>l-x</sub>As単結晶にW族原子のGeを不純物としてドープする乙アクセプタ密度N,は組成比xによらず一定となり,ドナ密度N,がxの増大と共ば増す。x<0・1の時は.N<sub>A</sub>>N<sub>p</sub>で成長層はP型に・x>0.1の時はN<sub>p</sub>>N<sub>A</sub>でN型になることがHall測定の結果から分った。従ってx=0.1の近傍では一回の液相成長プロセスでP-Nホモ接合を容易に形成できる。このようにして形成されたP-Nホモ接合の電気的および光電的諸特性についても調べた;写図18表3参
