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J-GLOBAL ID：201602006386903889   整理番号：74A0046986

PbSeの多重谷間誘導放出と谷間フォノン

Multivalley stimulated emission of photons and intervalley phonons in PbSe.

著者 (2件)： PRATT G W J r ,  McMULLIN P G
資料名： Proc Intern Conf Phys Semicond 10th Cambridge Mass  (Proceedings International Conference on the Physics of Semiconductors 10th 700817)
ページ： 87-95  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700249  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： P形PbSeの光ポンプレーザー放出をT=4.2Kで(1lO)単軸性応力の関数としてしらべた。縮退が解けたく111>谷間の電子,正孔遷移は,谷間フォノンエネルギーを上回る分裂に対してのみ可能である。この場合,低い谷間からの発光強度が2倍になる;写図9表1参16

シソーラス用語： 半導体レーザ ,  誘導放出
準シソーラス用語： PbSe ,  谷間間フォノン

タイトルに関連する用語 (4件)： PbSe ,  多重 ,  誘導放出 ,  フォノン