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J-GLOBAL ID：201602006392622751   整理番号：72A0040240

エピタキシャルけい素薄膜の蒸着における欠陥による核生成

Defect nucleation in vapor deposited epitaxial silicon films.

著者 (1件)： MENDELSON S
資料名： Int Conf Chem Vap Depos  (International Conference on Chemical Vapor Deposition)
巻： 2  ページ： 753-765  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0761A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 予稿  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンの積層欠陥による核生成の機構に関する総説。Stair-rQd転位,異種双晶層がない場合の高,低積層欠陥について検討した。高エネルギー状態の積層欠陥が内部の双晶積層欠陥の10倍以上であるとき100A程度以下の薄い欠陥をもつ島からStair-rod転位なしで増殖する。これら欠陥に基づく成長には(1)bccと3・II型欠陥(2)円板bccと(II+IV)欠陥(3)1型,2・II型欠陥がある。(1)における%〔001〕移動は基板上に高エネルギーbccの島状欠陥または複合3・H型欠陥を必要とする;写図6参29

シソーラス用語： エピタクシー ,  けい素 ,  核形成 ,  蒸着 ,  積層欠陥 ,  薄膜

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル ,  けい素薄膜 ,  蒸着 ,  欠陥 ,  核生成