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J-GLOBAL ID:201602006420034399   整理番号:71A0040427

ガラス半導体中の局在状態の光学的および磁気的研究

Optical and magnetic investigations of the localized states in semiconducting glasses.
著者 (3件):
資料名:
巻: 25  号: 11  ページ: 749-752  発行年: 1970年 
JST資料番号: H0070A  ISSN: 0031-9007  CODEN: PRLTAO  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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無定形As,S、の光吸収スペクトルと帯磁率を温度の関数として測定。吸収係数aの指数関数的振舞が0.09<aくO.5em’iで見出さtLる。帯磁率のキュリー型の項は,無定形系の中の無秩序をよく示している。弱い吸収係数のすそと帯磁率を関係づけるには.物質の禁止帯の中に指数関数的な状態密度を持った強い局在状態というモデルが要る;写図2表1参12
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