抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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NishidaとHori(同誌26,388(′69))の実測したGe中のSbドナーによる遠赤外吸収の濃度依存性の定性的な説明を提出し,ドナー自身によって生じるひずみは低濃度領域において吸収線の線幅と非対称性を説明することを示した:参7