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J-GLOBAL ID：201602006443136237   整理番号：65A0164000

GaAs PN接合からの励起発光の温度特性

Effect of temperature on the stimulated emission from GaAs p-n junctions.

著者 (3件)： PILKUHE M ,  RUPPRECHT H ,  BLUM S
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 7  号： 12  ページ： 905-909  発行年： 1964年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： SnをドープしたN型基板にZnを拡散したGaAs注入レーザダイオードで,ダイオード長が7.5X10^-2~1mmの各種のものを試作し,しきい点電流密度の温度特性を42~300°Kの範囲で測定した。これから利得係数と損失係数の温度依存性を算出した。温度とともに利得係数はわずか減少し,損失係数はわずか増加する。しきい点電流密度は20°K以下ではほとんど温度依存性をもたないが,77~300°Kでは温度のほぼ三乗に比例して増加する。さらに,しきい点電流密度の温度特性とダイオード長や基板のドーピング量との関連や発光波長とダイオードとの関係を実験的に求めて検討;図3表3参13

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  PN接合 ,  励起 ,  温度特性