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J-GLOBAL ID：201602006457256421   整理番号：64A0183760

GeトランジスタをSiトランジスタに取替える手引

Substitunting silicon for germanium transistors.

著者 (1件)： HAMLIN W O
資料名： Electron World (Chic)  (Radio & T V News)
巻： 72  号： 6  ページ： 39-41,58  発行年： 1964年 
JST資料番号： D0485A  CODEN： ELCWA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： 一般的な合金拡散形Geトランジスタと最近これと価格的にも競争できる様になったプラナ形Siトランジスタの構造,性能の比較を図,表で解説し,前者を後者で取替えたい場合のルールを項目順に説明し現在実用可能な拡散形siトランジスタの主要特性と応用途の一覧表を掲げた。次でトランジスタの取替によりパィアス条件を調整する必要があるので,2つの例をあげ図面によって各種のバイアス回路網の変更方法を説明し,その調整状態を確認するための測定方法についても触れた参図6表2

タイトルに関連する用語 (4件)： Ge ,  トランジスタ ,  Si ,  手引