抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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SnをドープしたGeの放射再結合に対するフォトンエネルギー及び変換効率を22--180Kの温度領域で測定した。PbドープGeからの77Kでの発光スペクトルをも示す。Sn中心における励起子のトラップに基ずいた発光過程の模型を提案し,実験との比較を論ずる;写図3参8