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J-GLOBAL ID：201602006479290747   整理番号：71A0043177

縮退半導体における自己誘起の欠陥状態

Self-induced deficiency state in degenerate semiconductors.

著者 (2件)： APPELBAUM J A ,  BARAFF G A
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 26  号： 23  ページ： 1432-1435  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の縮退ドーピングによる接触ポテンシャルの修正についてのセルフコンシステントな非線型計算をした。充分小さいr,(r,≦1.5)に対して生ずるポテンシャルは,束縛状態を保つに充分な強さを持つ。表面近傍で線型応答理論を用いることの正当性に対するこのことの意味を。簡単に考察する;写図2参6

シソーラス用語： 線形応答理論 ,  表面状態
準シソーラス用語： 欠陥状態 ,  縮退半導体 ,  接触ポテンシャル

タイトルに関連する用語 (4件)： 縮退半導体 ,  自己 ,  誘起 ,  欠陥状態