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J-GLOBAL ID：201602006480880272   整理番号：71A0244213

GaAs層のエピタキシャル成長

Epitaxial growth of device quality gallium arsenide layers.

著者 (2件)： BRADSHAW A ,  KNAPPETT J E
資料名： Solid State Technol  (Semiconductor Products)
巻： 13  号： 10  ページ： 45-50  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0226A  ISSN： 0038-111X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs層のエピタキシャル成長の問題点である反応炉の設計。構造を検討し.ガン・デバイスとしての得られた特性をのべた。 エピタキシャル炉は±1°Cに温度精密制御した2ゾーン石英炉で抵抗加熱形である。高純度H,をAsCl₃を通して供給する。炉を組立てた後の清浄処理が重要であり.熱王水と二重蒸留した純水で洗い.純Arで乾燥し,300°C以上で空焼きを行なう。 成長の直前に源が再飽和するように石英管を改良した。基板の処理法,成長技術,エピタキシャル層の評価,層の特性とデバイスの特性との相関関係などを検討した;写図6表1参14

準シソーラス用語： GaAs ,  GaAsエピタキシャル成長 ,  ニピタキシヤル成長 ,  ニピタキシヤル成長(GaAs)

タイトルに関連する用語 (2件)： GaAs ,  エピタキシャル成長