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J-GLOBAL ID：201602006483335968   整理番号：73A0037414

AlNのエピタキシャル成長とその光学的バンドギャップ

Epitaxially grown AIN and its optical band gap.

著者 (6件)： YIM W M ,  STOFKO E J ,  ZANZUCCHI P J ,  PANKOVE J I ,  ETTENBERG M ,  GILBERT S L
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 44  号： 1  ページ： 292-296  発行年： 1973年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 塩化アルミニウムとアンモニヤの気相成長法により,1000~1100°Cでサファイヤ基板上に窒化アルミニウムの単結晶を成長させた。エピタキシャル層の純度,色,結晶性,成長形態,電気抵抗率などを研究した。赤外線反射の測定からは,窒化アルミニウムとサファイヤ基板との境界層にかなりのひずみが存在することが分った。光学吸収データから,窒化アルミニウムは室温で6.2eVの直接エネルギーギャップをもつことが分った;写図4表1参33

シソーラス用語： エピタクシー
準シソーラス用語： AIN ,  光学的バンドギャップ ,  赤外反射 ,  窒化アルミニウム

タイトルに関連する用語 (4件)： AlN ,  エピタキシャル成長 ,  光学 ,  バンドギャップ