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J-GLOBAL ID：201602006497179098   整理番号：71A0357952

ゲルマニウム,酸素,炭素を含んだシリコンの低温電子照射による赤外線の研究

Infrared studies of low temperature electron irradiated silicon containing germanium oxygen and carbon.

著者 (2件)： BRELOT A ,  CHARLEMAGNE J
資料名： Radiat Eff  (Radiation Effects)
巻： 9  号： 1/2  ページ： 65-73  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0224A  ISSN： 0033-7579  CODEN： RAEFBL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単結晶シリコンに10²⁰Ge/cm³のゲルマニウムを大量にド-プし,かつ酸素,炭素をも含んだ試料に2.8MeV電子を90°Kで照射し,赤外線吸収測定によって次の欠陥を調べた。90°Kでの電子照射後,12μの吸収ライン(A-中心)がないことがわかった。A-中心は200°K~280°K焼きなまし後のみあらわれる。それゆえ,トラップされた空孔が200°K~280°Kでの熱活性化によるGe-V中心から解放される訳で,これらの空孔は格子を通して移動し,そして酸素原子によってトラップされる。935cm^-1吸収線で作られる欠陥(B-中心)は酸素原子をもったシリコン格子間原子の相互作用の結果によるものである

シソーラス用語： けい素 ,  ゲルマニウム ,  酸素 ,  赤外スペクトル ,  炭素 ,  低温 ,  電子ビーム
準シソーラス用語： 結晶ドーピング ,  焼きなまし

タイトルに関連する用語 (8件)： ゲルマニウム ,  酸素 ,  炭素 ,  シリコン ,  低温 ,  電子照射 ,  赤外線 ,  研究