文献

J-GLOBAL ID：201602006571469338   整理番号：73A0036274

低温で生成されたアンモニアを含まない窒素-Si₃N₄膜の性質

Properties of ammonia-free nitrogen-Si₃N₄ films produced at low temperatures.

著者 (2件)： GERETH R ,  SCHERBER W
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 119  号： 9  ページ： 1248-1254  発行年： 1972年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si,N4の薄膜(「窒素一Si3N4膜」)はけい素基質上に,基質温度25°と500°Cの間において,rfグロー放電中,SiH4とN2との反応により生成される。適当な成長条件下では,屈折率2,破壊電場強度10V/cm,フラットバンド表面電荷はL5×1012cmまた,バイヤス温度ストレスに対して非常に高い安定性を示す。SiH.濃度を変えると,窒化物膜の化学量論は,物理的および電気的な膜の性質に対応して,窒素の多い膜からけい素の多い膜との間でいろいろに変る;写図16参14

シソーラス用語： グロー放電 ,  シラン ,  安定性 ,  窒素 ,  電気的性質 ,  薄膜 ,  半導体 ,  放電反応
準シソーラス用語： 窒化けい素

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  アンモニア ,  窒素 ,  性質