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J-GLOBAL ID：201602006589844780   整理番号：65A0021705

Insb蒸着薄膜の負の磁気抵抗効果

Nebative magnetoresistance effect in evaporated indiumantimonide films.

著者 (2件)： BARLOW H E M ,  UEDA R
資料名： Proc Inst Electr Eng  (Proceedings of the Institution of Electrical Engineers)
巻： 112  号： 10  ページ： 1849-1855  発行年： 1965年 
JST資料番号： D0380C  ISSN： 0020-3270  CODEN： PIEEAH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： 真空蒸着で作ったInSb薄膜の異常な電波磁気効果に関する実験についてのべた。薄膜は清浄ガラスの面に交互真空蒸着法で作った。その膜の電気的特性を静磁界中で測定し,比抵抗が高いこと,ホール係数が大きく,そして印加磁界の大きさに依存すること,室温で負の磁気抵抗効果を表すことなどの,異常な性質かあることを見出した。薄膜の構造の不均一性がこれたの異常な性質の原因であると仮定して,定量的解析を行った;図7表1参24

タイトルに関連する用語 (3件)： InSb ,  蒸着薄膜 ,  磁気抵抗効果