文献

J-GLOBAL ID：201602006601056580   整理番号：74A0238744

イオンインプランテーションによるMOSスレッショールドの推移

MOS threshold shifting by ion implantation.

著者 (2件)： SIGMON T W ,  SWANSON R
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 16  号： 11  ページ： 1217-1232  発行年： 1973年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 制御電極の下に不純物のインプランテーションを行なったMOSデバイスのスレッショールド推移を理論解析し,実測値とよく一致することを示した。理論を実験的に実証するために,MOS容量とトランジスタを用いた。インプラント層は基板不純物を充分に補償し,ゲートの下に埋没伝導チャネルを形成する。n形基板に対しては,約0.1μのゲート酸化物で33~53KeVのイオン・エネルギーを用い,Bドーズは5×10¹⁰~2×10¹²である。スレッショールドの推移は0.2~5Vがみられた。500°C程度の低い温度でアニールすれば,インプランテーション損傷がなくなる;写図14表3参19

シソーラス用語： MOSFET ,  イオン注入 ,  しきい値
準シソーラス用語： イオンインプランテーション

タイトルに関連する用語 (4件)： イオンインプランテーション ,  MOS ,  スレッショールド ,  推移