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J-GLOBAL ID：201602006612559606   整理番号：70A0263912

GaAs-P可視光ランプおよびそのアレイ

Gallium arsenide-phosphide visible lamps and arrays.

著者 (2件)： PETERS d R ,  STEWART C E E
資料名： Radio Electron Eng  (Journal of British IRE)
巻： 39  号： 5  ページ： 275-278  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0272A  ISSN： 0033-7722  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体可視光源は以前から知られていたがその明るさ製造の困難および高価格などの点で利用が限られていた。しかし非常に信頼性を要する光源としての要求が高まりつつある。本文ではGaAsPのランプについての製造法とその特性について記した。GaAs基板上にエビタキシアル成長させ,プレナー法を用いてZnを拡散させることによるPn接合を形成した。660-690nmの光を動作電圧1.7V,電流密度25A/ごで発光させることができた。寿命は7000時間を越え.このランプで5×7のアレイを構成した例について述べた;写図5参6

準シソーラス用語： GaAsP ,  半導体発光ランプ ,  表示素子

タイトルに関連する用語 (3件)： 可視光 ,  ランプ ,  アレイ