抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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接合形電界効果トランジスタのゲート空乏層およびチャネル部分の計算機による解析を行ない.通常の一次元理論から得られる結果と比較した。ゲート幅が広く,キャリヤ速度が飽和しない場合は旧理論と実質的に一致し.ドレイン近傍に電圧を維持する細い高抵抗層が生ヒる。ゲートが狭く長さ方向の電界が強いため.キャリヤ速度が飽和するような場合は旧理論と異なり.ソース・ドレイン同に電気的二重層を生じるキャリヤの蓄積と欠乏の層を生ヒる。このため旧理論で予想されるより低いバイアス電圧でビンチオフする;写図21参24