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J-GLOBAL ID:201602006617319603   整理番号:73A0037190

GaSbの電子構造

The electronics structure of GaSe.
著者 (1件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 313-360  発行年: 1973年 
JST資料番号: C0613A  ISSN: 2037-4895  CODEN: NIFBAP  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イタリア (ITA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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経験的擬ポテンシャル法でバンド構造を計算した。層間相互作用の弱いvanderWaals力を加えるため球形原子ポテンシャルに補正項が必要である。実測された光吸収の強い偏光依存性は,この模型でよく説明される。荷電密度分布を計算し,化学結合を詳しく論じた;写図20表16参63
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