文献

J-GLOBAL ID：201602006622785175   整理番号：71A0045154

GaAsエピタクシー層とその基板の境界の光ルミネセンスによる研究

著者 (2件)： NAKASHIMA H ,  HIRAO M
資料名： Jpn J Appl Phys  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 9  号： 12  ページ： 1495-1501  発行年： 1970年 
JST資料番号： G0520A  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAsの蒸気エピタクシー層とその基板の境界で観察される非オーミック性,キャリア濃度プロフィールのくぼみ等の異常界面現象を光ルミネセンス測定によって研究した。種々の条件で成長したエピタクシー結晶についての測定で,銅の不純物によると推定される放出帯が観察された。異常な界面現象は銅の不純物に起因すると思われる;写図8表2参14

シソーラス用語： エピタクシー ,  ひ化ガリウム ,  ルミネセンス ,  界面
準シソーラス用語： GaAs ,  キャリア濃度 ,  非オーミック性

タイトルに関連する用語 (5件)： GaAs ,  エピタクシー層 ,  境界 ,  光ルミネセンス ,  研究