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J-GLOBAL ID：201602006663299854   整理番号：70A0263337

MOS読出L用記憶装置

MOS read-only memories

著者 (1件)： McCOY M R
資料名： EEE  (EEE)
巻： 18  号： 8  ページ： 46-50  発行年： 1970年 
JST資料番号： E0143C  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初期のMOS読出し用記憶装置は,256ビット,2μSと小形,低速であったが,現在は4096ピット,750nSに達し,価格も安く,書き込むも簡単になった。本文は,この進歩の過程と今後の子想について述べた後,構成図および素子拡大写真を掲げて,その動作原理,用法,および,応馬例を示す。1975年までには,1個のチップに16000ピット,読出し速度300nSに達するものと考えられる;写図8

シソーラス用語： 固定記憶装置
準シソーラス用語： MOS ,  MOS固定記憶装置 ,  固定記憶装置(MOS)

タイトルに関連する用語 (3件)： MOS ,  読出 ,  記憶装置