{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad01_expire_date}}
{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}{{ad02_expire_date}}
文献
J-GLOBAL ID:201602006667091387   整理番号:68A0215570

エピタキシャルAlxGa1-xAs注入レーザの300°Kにおける誘導放出と2つの波長での同時発振

Stimulated emission at K and simultaneous lasing at two wavelengths in epitaxial AlxGa As injection lasers.
著者 (2件):
資料名:
巻: 56  号:ページ: 1598-1599  発行年: 1968年
JST資料番号: D0378A  ISSN: 0018-9219  CODEN: IEEPAD  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
液相エピタキシャル法を用いて,AlχGa(1-χ)Asのレーザ・ダイオードを作った。これは室温において効率が高いという特徴を有する。100°K以下では1000Å以上離れた2つの波長で同時に発振することを確めた。この発振波長およびその2つの間隔は,製作工程の変化によって制御可能である。例えば,8450Åと7280Åで発振する。しきい電流は3~90KA/cm2で,効率は15~18%であった。P層はZnを5×1019cm-3の濃度でドープして作った;写図1表2参6
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る