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J-GLOBAL ID：201602006725432769   整理番号：69A0221874

レーザ照射によるiダイオードの製作

Silicon diodes made by laser irradiation

著者 (2件)： FAIRFIELD J M ,  SCHWUTTKE G H
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 11  号： 12  ページ： 1175-11761  発行年： 1968年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR) 

抄録/ポイント： 研摩したSiウェファにPを塗布し,これにレーザパルスを照射してダイオードを作った。レーザはルビーレーザを用い,2×10^-3cm²の面積に2×10^-3~2×10^-1J/cmのエネルギー照射した。接合深さは約1μ,1mA/0.5V,1μA/20VのV-I特性がえられ,C-V特性から段階形と傾斜形の中間の接合となっていることがわかった。小面積の接合が作れ,他の部分の加熱もないのでICなどに利用できる。またレーザパルスによる欠陥の構造を走査形電子顕鏡とX線写真とで観察した;写図3参3

タイトルに関連する用語 (3件)： レーザ照射 ,  ダイオード ,  製作