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J-GLOBAL ID：201602006766099233   整理番号：64A0259782

III-V半導体におけるフリー・キャリアー赤外線吸収(III)GaAs,InP,GaP,GaSb.

著者 (2件)： 羽賀栄次郎 (名大(理工)応物) ,  木村初男 (名大(理工)応物)
資料名： J Phys Soc Jpn  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 19  号： 5  ページ： 658-669  発行年： 1964年 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子の散乱機構を調べるためn-GaAs,-InP,-GaP,-GaSbの吸収を分析,E1の値がGaAsでは~6eV,InPでは~OeV,GaPでは~55eV,GaSbでは~60eVと算出.以上よりGab,GaSbでは音響的音子散乱がGaAs,InPでは光学的音子散乱が優勢である.電子濃度に比べてNimpが非常に大.この事実より通常の散乱と異なる格子振動イオン化不純物の存在を示す.

タイトルに関連する用語 (6件)： キャリアー ,  赤外線吸収 ,  GaAs ,  InP ,  GAP ,  GaSb