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J-GLOBAL ID：201602006766195828   整理番号：72A0045901

CdSおよびCdSe単結晶のB,n=1基底状態の励起子線に及ぼす電場の影響

The influence of an electric field on the B, n=1 ground state exciton line of CdS and CdSe single crystals.

著者 (1件)： LANGE H
資料名： Phys Status Solidi B  (Physica Status Solidi)
巻： 48  号： 2  ページ： 791-795  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体の直接励起子遷移に及ぼす電場の影響の理論は不連続な励起子線の電場によって誘起された幅の広がりと位置のつれを予言する。基底状態の励起子線のつれの方向と大きさは文献によりまちまちである。ここではCdSおよびCdSe単結晶のB,n=1の励起子線に対する電場の影響を測定した。その結果は,2次の摂動論に一致した二次シュタルクシフトと半値幅の2次の電場依存性を示す;写図3参15

シソーラス用語： カドミウム化合物 ,  セレン化物 ,  基底状態 ,  電場効果 ,  硫化カドミウム
準シソーラス用語： CdS ,  CdSe ,  セレン化カドミウム ,  励起子遷移

タイトルに関連する用語 (6件)： CdS ,  CdSe ,  単結晶 ,  基底状態 ,  励起子 ,  電場