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J-GLOBAL ID：201602006792802554   整理番号：65A0163907

半導体-電解質溶液界面インピーダンス

On the interpretation of the impedance of the semiconductor-electrolyte interface.

著者 (1件)： MEMMING R
資料名： Philips Res Rep  (Philips Research Reports)
巻： 19  号： 4  ページ： 323-332  発行年： 1964年 
JST資料番号： D0313A  ISSN： 0031-7918  CODEN： PRREA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD) 

抄録/ポイント： 表面空間電荷容量を求めるため,CP₄でエッチしたGeを硫酸ソーダ溶液につけ分極化した後,直流に高周波を重ねtanδとインピーダンスを測った。低い周波数では複雑な現象を示すが,60Kc以上では空間電荷容量と半導体体抵抗の直列回路で近似出来る。表面電位と空間電荷容量の関係は真性Geの場合のみ理論に一致し,n型およびp型では表面が反転化を示すとき,容量の増加がみられた。これはn型では表面電極反応による少数キャリア注出のためと考えられるが,P型ではヘルムホルツ層が関与しているためと思われる;図8参7

タイトルに関連する用語 (3件)： 電解質 ,  溶液界面 ,  インピーダンス