抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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純粋シリコンのFaraday回転を磁場20KGでスペクトル領域0.45-’2.05eVで測定,結果をKLNとBHLの理論で解釈すると,直接遷移がFaraday回転に主に寄与する。KLN理論より3.07eVの直接と1.18eVの間接エネルギーギャップ,一方BHL理論より2.80eVの直接と1.16eVの間接エネル%’一ギャップを得た。測定領域の分散にもとついては両理論の優劣をつけがたい;写図3表2参22