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J-GLOBAL ID：201602006896699593   整理番号：61A0009797

強誘電体の安定な単一分域状態を得る方法

Получение устойчивого монодоменного состояния сегнетоэлектриков.
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著者 (1件)：
ЮРИН В А

ЮРИН В А について


資料名：
Izv Akad Nauk SSSR Ser Fi  (Izvestiya Akademii Nauk SSSR. Seriya Fizicheskaya)

Izv Akad Nauk SSSR Ser Fi について


巻： 24  号： 11  ページ： 1329-1333  発行年： 1960年 
JST資料番号： R0045A  ISSN： 0367-6765  CODEN： IANFA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN) 
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γ線照射の場合と同様にCu不純物を含むロシェル塩ではヒステリシス曲線が二重となり分域の逆転の起こる電場Ecritは増す。Ecritは温度,不純物濃度にもよるが,試料を放置した時間tとともに緩和時間τをもって(〓-o-t/τ)の形で変化する。τの温度変化は活性化エネルギー1.08eVで説明される。また外部から電場をかけて単一分域状態とすると一方へずれたヒステリシス曲線を得,このときの中心のずれEsmも同様の変化をする。これから銅イオンの拡散によってまわりの分域が外部電場に対して安定な状態に落つくと考える
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強誘電体

強誘電体 について

, 
単一分域

単一分域 について


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