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J-GLOBAL ID：201602006911221450   整理番号：72A0372477

歪んだ配位子場における3d⁹(CuII)電子準位の分裂 点電荷模型による計算

著者 (2件)： 松田義尚 ,  村上幸人
資料名： 九州大学工学集報  (Technology Reports of the Kyushu University)
巻： 44  号： 3  ページ： 417-424  発行年： 1971年 
JST資料番号： F0190A  ISSN： 0023-2718  CODEN： KDKSB   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN) 

抄録/ポイント： 点電荷模型を用い電子配置がd⁹(²D)である場合のd電子準位の結晶場による分裂状態を計算し,実測値と比較検討.結果は,仮定の粗さにもかかわらず,実測値との一致はかなり良かった.しかし,配位原子の幾何学的配置が平面に近いような場合,実測値との一致を高めるため,さらに補正ないしパラメーターの導入が必要だが,このような補正などは計算の複雑さに比して成功した例はほとんどなく,むしろ分子軌道計算などの電荷分布の型を含む計算を用いるべきである.d電子数が多くなった場合,1電子系の計算に比べさらに一致は良くない.この場合,電子間相互作用の評価の程度により一致の程度が変わると思われる.さらに,遷移確率,g値などの分裂エネルギー以外に波動関数の質が問題となる場合は,分子軌道計算によるべきであり,分裂エネルギーもこれにより改良されることが認められた:参10

タイトルに関連する用語 (5件)： 配位子場 ,  電子 ,  点電荷 ,  模型 ,  計算