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J-GLOBAL ID：201602006935127535   整理番号：72A0258690

翁属一半導体一金属Schottky障壁マイクロ波ダイオードの雑音測定

Noise measure of metal-semi-conductor-metal Schottky-barrier microwave diodes.

著者 (3件)： HAUS H A ,  STATZ H ,  PUCEL R A
資料名： Electron Lett  (Electronics Letters)
巻： 7  号： 22  ページ： 667-669  発行年： 1971年 
JST資料番号： A0887A  ISSN： 0013-5194  CODEN： ELLEAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,金属一半導体一盆属(MSM)構遣で悟った負性抵抗効果を用いた増幅および発振が観測されている。本文では負性抵抗の生じる簡寧なモデルを示し.空間電荷で平滑されたショット雑音で生じた雑剖について計算した。負性抵抗は障壁の間の走行角がπより大きく2πより小さい時に発生することを見出した。もし,上記のショット雑音のみが主な雑音源であるならばMSMダイオードは非常に低雑音のマイクロ波増幅器あるいは発振器として動作することを示した。ジョンソン雑音がつけ加わるので実際に上の仮定が成立しているかどうかは不明である;写図2参2

シソーラス用語： Schottky障壁ダイオード ,  ショット雑音 ,  高周波増幅器 ,  雑音測定 ,  負性抵抗
準シソーラス用語： マイクロ波増幅器 ,  マイクロ波発振器

タイトルに関連する用語 (3件)： Schottky障壁 ,  マイクロ波ダイオード ,  雑音測定