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J-GLOBAL ID：201602006985257715   整理番号：72A0259496

パルスバイアス電圧を印加した半導体素子を定在波を利用して測定する方法

A technique for standing wave measurements of pulse-biased semiconductor devices.

著者 (2件)： MARTIN B ,  HOBSON G S
資料名： Radio Electron Eng  (Journal of British IRE)
巻： 41  号： 12  ページ： 538-540  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0272A  ISSN： 0033-7722  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波用半導素子の特性は,スロットつき導波管などを用いて定在波法で測定するが,ガンダイオードなどでは,連続波で測定すると素子の温度が上昇し,測定に不都合を生じる。この場合にはパルス変調マイクロ波とバルスバイアス電圧を印加する方法で素子の温度上昇が防げる。測定はマイクロ波発振器.パルス発生器,パルス増幅器サンプリング・オシロスコープを使用する。パルス増幅器には利得1000以上,立上り時間0.1μs以下のものを要する。定在波比50のとき測定精度10%程度で,連続波による測定とほぼ同し感度である;写図3表1参3

シソーラス用語： Gunnダイオード ,  パルス ,  マイクロ波 ,  計測 ,  定在波 ,  半導体素子
準シソーラス用語： 測定

タイトルに関連する用語 (5件)： パルス ,  バイアス電圧 ,  印加 ,  半導体素子 ,  定在波