文献

J-GLOBAL ID：201602006989693250   整理番号：71A0044426

Al-絶縁体-金属トンネル接合の障壁に異種原子を制御付加により生じたコンダクタンス変化

Conductance changes produced by the controlled addition of foreign atoms to the barrier of 1-insulator-metal tunnel junctions.

著者 (1件)： NIELSEN P
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 2  号： 10  ページ： 3819-3833  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル接合において見られる零電位コンダクタンス異常の発生条件を研究した。それはtAl-A1,OゴMトンネル接合のAl,O,障壁と電極M間に不純物を制御付加により為された。Appelbaum理論による小さなコンダクタンスピークは,酸化されない磁気的不純物が電極Mに近接した時のみ起こる。酸化磁気的不純物はコンダクタンスの減少を生成する。さらに,コンダクタンスのくぼみなどについてその機構を述べる;写図11表3参52

シソーラス用語： アルミニウム ,  トンネル接合 ,  交換相互作用 ,  酸化アルミニウム ,  電気抵抗
準シソーラス用語： Al₂O₃ ,  MIM接合 ,  コンダクタンス ,  トンネル分光 ,  磁気不純物 ,  電流-電圧特性

タイトルに関連する用語 (5件)： 絶縁体 ,  トンネル接合 ,  障壁 ,  異種原子 ,  コンダクタンス