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J-GLOBAL ID：201602007002604975   整理番号：71A0123303

トリメチルホスフィン,トリフルオルホスフィンとそれらの酸化物中の電子ポピュレーション

Populations electronique dans la trimethyl-et la trifluorophosphine et dans leurs oxydes.

著者 (3件)： ACLOQUE F ,  KAHN O ,  DNIESTROWSKI A
資料名： C R Hebd Seances Acad Sci  (Comptes Rendus Hebdomadaires des Seances de l'Academie des Sciences. Serie C. Sciences Chimiques)
巻： 271  号： 17  ページ： 1062-1065  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0611A  ISSN： 0567-6541  CODEN： CHDCAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： フランス (FRA)  言語： フランス語 (FR)

抄録/ポイント： LCAO-MO-SCF法によって,PMe₃,PF₃.OPMe₃,OPF₃の電子密度を計算。りん原子の3d軌道は,Clementiの水素様AOの係数を用いた。計算方法は,PopleのCNDO法の近似法を多少変えて使用。その結果,りん上の電子密度は酸化物の方が小さく,逆に,炭素がふっ素上の電子密度は酸化物の方が大きい。P-C,P-Fの結合次数は酸化物の方が大きい。酸化物のO-Pの結合次数は,OPMe₃では1.321,OPF₃では1.404であり,二重結合性を持つことが分かった;表2参14

シソーラス用語： SCF法 ,  パブリックリレーションズ ,  ふっ化りん ,  ホスフィン ,  ホスフィンオキシド ,  化学結合 ,  電子密度
準シソーラス用語： F ,  PR ,  PR₃O ,  R=Me ,  SCF法(スフィン誘導体) ,  スフィン誘導体 ,  トリメチル ,  ふっ化ホスホリル ,  ふっ化ホスホリル(電子密度) ,  ふっ化りん(電子密度) ,  ホスフィン/トリメチル ,  ホスフィンオキシド/トリメチル ,  化学結合(酸素-りん) ,  酸素-りん ,  電子密度(PR₃;PR₃O/R=Me;F)

タイトルに関連する用語 (3件)： トリメチルホスフィン ,  酸化物 ,  電子