マイクロ・ホール素子エビタキシャルSiの評価のためのデバイス

COLCLASER R A; SOUTHWARD H D

文献

J-GLOBAL ID：201602007003246320 整理番号：70A0251283

マイクロ・ホール素子エビタキシャルSiの評価のためのデバイス

The Micro-Hall device-A tool for the evaluation of epitaxial silicon.

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資料名：
巻： 22nd ページ： 176-180 発行年： 1970年
JST資料番号： D0550A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

エピタキシャルSiの評価のための手段としてマイクロ・ホール素子を用いることを提案した。この方法は材料をIC技術に対して評価する場合に特に有用であり,その設計法を考察した。この素子の製造技術として拡散形,分離拡散形およびメサ形を詳細にのべた。これらのデバイスの評価方法をのべ.ウェファの小面積領域の評価ができ・1Cプロセスの後に用いることができる特長を示した。実験結果はキャリヤの密度や移動度を求める他のいくつかの方法とよく一歌する。さらにIC形の材料の研究を進めた;写図5表1参8

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