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J-GLOBAL ID：201602007041177049   整理番号：71A0244537

点接触NN⁺Si素子の2次破壊のN層厚さ依存

N layer thickness dependence of second breakdown in point contact NN=+ Si devices.

著者 (2件)： AGATSUMA T ,  MIYAKE K
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 118  号： 5  ページ： 763-767  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 表記素子の2次破壊現象をことなったheat sinkをもつNN型Siペレットを使用して研究した。このSinkはN層の厚さが20~90μ,その抵抗が13~15 ohm-cmであり,一方N⁺層の抵抗と厚さは一定に保たれている。電位を限流抵抗を通して素子の逆方向に印加して行なった実験より,2次破壊特性はN層の厚さ,およびペレットとheatsink間の接触における熱接触に伴なって変り,この特性がNとN⁺や層の界面における温度が始めの温度に到達する時に生ずると仮定すると説明できることが熱的なモデルより証明される。なお始めの温度はN層の厚さとともに変り,厚さが減少するほど低くなる;写図6参6

シソーラス用語： 熱抵抗
準シソーラス用語： シリコン ,  降伏現象 ,  点棲触ダイオード ,  放熱板

タイトルに関連する用語 (3件)： 点接触 ,  破壊 ,  層厚