{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2022年08月
{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2022年08月
文献
J-GLOBAL ID:201602007104602683   整理番号:58A0061174

半導体の中に二つのエネルギー準位がある時の再結合

Recombinaison sur les Pieges a deux Niveaux dans les Semi-Conducteurs.
著者 (1件):
資料名:
巻:号:ページ: 15-18  発行年: 1958年 
JST資料番号: C0287A  CODEN: JELCA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
発行国: イギリス (GBR) 
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体の中に,転位とか不純物とかによるエネルギー準位がギャップ中間に存在すると,熱平衡よりも過剰になったキャリアの再結合はそのために促進される。ここでは準位が互に完全に独立でない二つの位置にある場合を扱う。その例として,インジェクションの弱い時の寿命と空間電荷層での創生率とについて述べる
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る