文献
J-GLOBAL ID：201602007107955048   整理番号：72A0256802

注入レーザの最近の進歩

Recent progress in injection lasers.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (1件)：
GLICKSMAN R

GLICKSMAN R について


資料名：
Proc Tech Program Electro Opt Syst Design Conf New York  (Proceedings of the Technical Program Electro-Optical Systems Design Conference 700922)

Proc Tech Program Electro Opt Syst Design Conf New York について


ページ： 93-110  発行年： 1970年 
JST資料番号： K19700159  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
最初の室温動作GaAsレーザは1964年に報告され.液相エピタキシャル(LPE)法で作られた。熱処理によ「)アクティブなp-n接合領域は界面から2μほど内部にできるので界面のひずみや欠陥を避け得ると同時にppnが導波構造を構成する。さらに,バンドギャップの異なるGaAIAs-GaAs(ヘテロ接合)レーザはclose confinement構造によりしきい値電流・や微分量子効率が改善される。林らによるダブルヘテロ接合レーザは最も新しく室温でCW動作する。現在,室温動作GaAsレーザ(アレイ形,スタック形)が市販されている:写図20表1参25
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
ひ化ガリウム

ひ化ガリウム について

, 
ヘテロ接合

ヘテロ接合 について

, 
注入レーザ

注入レーザ について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
エビタキシャル成長

エビタキシャル成長 について


タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
注入レーザ

注入レーザ について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM